Рынок микросхем оперативной памяти DDR3 надулся подобно огромному мыльному пузырю и норовит лопнуть, обернувшись для основных игроков существенными убытками. Ввиду этого обстоятельства, компании находятся в поиске возможных путей отступления. Например, Samsung выступает за скорейшее принятие стандарта DDR4 и уже не стесняется демонстрировать функционирующие образцы этой памяти.

Сегодня компания объявила о начале производства тестовых модулей регистровой памяти DDR4 объёмом 16 Гбайт. Отмечается, что к разработке изделия причастны ведущие игроки на рынке процессоров и серверного оборудования. Для производства тестовых микросхем южнокорейский промышленный гигант задействовал литографическую технологию 30 нм класса, однако серийные продукты будут изготавливаться по нормам 20 нм класса.

Samsung уверяет, что в 2013 году компания увеличит эффективную частоту микросхем памяти до 3200 МГц, при этом модули будут работать при номинальном напряжении 1,2 вольта. Также в следующем году компания планирует увеличить объём тестовых изделий до 32 Гбайт. Финальная версия стандарта DDR4 будет утверждена JEDEC в августе.
Sorry    

   Автор: Андрей Вакуленко    

   Источник: 3dnews.ru