Южнокорейская компания Samsung официально сообщила о начале массового производства первых в мире модулей оперативной памяти типа LPDDR3 объемом 3 Гбайта, исполненных по нормам 20-нанометрового технологического процесса. Новые чипы нацелены на использование в мобильных устройствах следующего поколения.

Новинка Samsung представляет собой 6 20-нм микросхем памяти типа LPDDR3 плотностью 4 Гбита, заключенных в корпусе толщиной 0,8 миллиметра. Скорость передачи данных в 20-нм чипах Samsung достигает 2133 Мбит/с. Габаритные размеры модулей памяти незначительные, что оставляет больше места для более емкой батареи.

Данная новость в очередной раз подтверждает ранние слухи о том, что смартфон Samsung Galaxy Note 3 получит 3 Гбайт оперативной памяти.

Напомним, что не так давно компания SK Hynix официально объявила о создании микросхем памяти типа LPDDR3 плотностью 8 Гбит, рассчитанных на выпуск по нормам того же 20-нм технологического процесса, на базе которых уже в конце этого года выйдут модули памяти объемом 4 Гбайта.