Buffalo выпустит первый SSD с ST-MRAM-буфером Стало известно о планах компании Buffalo выпустить в следующем годы целый ряд новых интересных твердотельных накопителей. Японский производитель готовится представить SSD серий SS3 и MxBU7 Series, использующих MLC- и SLC-чипы, а также контроллер собственной разработки. Кроме того, компания рассказала о любопытном накопителе, выпуск которого намечен на 2015 год.

2,5-дюймовые SSD SS3 Series используют интерфейс SATA III. В рамках линейки будут выпущены модели на базе MLC NAND-микросхем общей ёмкостью от 32 до 512 Гбайт. SLC-версии будут иметь ёмкость от 8 до 128 Гбайт. Серия MxBU7 будет включать компактные mSATA-решения на базе MLC- (16-64 Гбайт) и SLC-памяти (8-64 Гбайт). Все новинки будут использовать фирменный контроллер Buffalo. В продаже они появятся в июне следующего года.

Buffalo выпустит первый SSD с ST-MRAM-буфером

В 2015 году компания планирует начать массовый выпуск SSD SS6 Series. Главной особенностью этих устройств является использование кеш-памяти Spin-Torque MRAM (ST-MRAM), разработанной компанией Everspin Technologies. Как отмечается, это 1 продукт, использующий ST-MRAM в качестве кеша. Образцы новинки Buffalo покажет 20-22 ноября в рамках конференции Embedded Technology 2013.

По утверждению разработчиков, использование ST-MRAM позволит улучшить стойкость накопителей к внезапным скачкам электропитания (эта память является энергонезависимой), а также снизить потребляемую мощность (MRAM не требует обновления ячеек памяти в отличие от DRAM). Решение Everspin внешне представляет собой обычный модуль ОЗУ, отвечающий спецификации JEDEC DDR3. Ёмкость такого кеша составляет 64 Мбит.