По данным источника, компания Samsung Electronics завершила разработку тестового чипа, в котором используется архитектура ARM, рассчитанного на выпуск по 20-нанометровой технологии HKMG (high-K metal-gate). В этом проекте специалисты Samsung сотрудничали с компанией ARM Holdings, занимающейся разработкой и лицензированием объектов интеллектуальной собственности, и разработчиками САПР электронных схем Cadence Design Systems и Synopsys.

По словам Samsung, при переходе к нормам 20 нм требуется новый подход к проектированию, отличающийся от того, что использовался ранее. Изменения затрагивают структуру полупроводниковых приборов, локальные соединения и правила разводки топологии. Для 20-нанометрового техпроцесса характерна иная последовательность формирования слоев. Если в техпроцессе HKMG, рассчитанном на нормы 32 и 28 нм, затворы транзисторов формируются первыми, то в новом техпроцессе — последними.

Частью тестового чипа является процессор ARM Cortex M0. Кроме того, в его конфигурацию вошли блоки памяти, ввода-вывода и разнообразные тестовые структуры. Одной из целей проекта была проверка возможности использования при переходе к новой технологии средств и процедур проектирования, предложенных Cadence и Synopsys.