Насыщение рынка модулями оперативной памяти DDR4 до 2014 года ждать не стоит. Однако производители аппаратного обеспечения уже стали на путь адаптации технологии к требованиям новых компьютерных устройств. Корейская компания Samsung представила первые ОЗУ DDR4 на 16 Гб, построенные на базе 30-нанометровых кристаллов памяти.

В следующем году корейский производитель планирует выпустить модули с памятью на 32 Гб с использованием чипов класса 20 nm (20-29 nm), чья пропускная способность будет достигать 3200 Мбит/с. По утверждению Samsung, модули DDR4 потребляют всего 1,2 В. Если сравнивать их с модулями DDR3, то экономия составляет 40 %.

Разработка DDR4 находится на завершающей стадии. Поставки планируются начать уже в следующем месяце.