Процессоры Intel Xeon Phi (Knights Landing) с технологией Intel Omni Scale Fabric достигают новых высот производительности Во 2 половине 2015 года компания Intel планирует представить новое поколение устройств линейки Intel Xeon Phi (прежнее кодовое наименование Knights Landing), которое будет доступно в 2 вариантах: в виде процессора, устанавливаемого на системной плате, а также в виде платы расширения PCIe.

1 вариант позволит отказаться от избыточной сложности программирования и ограничений по скорости передачи данных через интерфейс PCIe, характерных для графических процессоров и ускорителей. Такие новинки будут поддерживать до 16 ГБ высокоскоростной интегрированной памяти, которая разработана совместно с компанией Micron. Она будет обеспечивать в 5 раз большую пропускную способность по сравнению с модулями DDR4, а также в 5 раз более высокую энергоэффективность и в 3 раза более высокую плотность размещения по сравнению с памятью GDDR. При использовании с технологией Intel Omni Scale Fabric новое решение памяти позволит устанавливать Intel Xeon Phi (Knights Landing) в виде отдельных вычислительных блоков, что даст возможность уменьшить занимаемое пространство и энергопотребление за счет отказа от множества других компонентов.

Если же говорить о сопроцессорах Intel Xeon Phi (Knights Landing), созданных в виде карт расширения PCIe, то они будут включать в себя более чем 60 ядер, основанных на микроархитектуре Intel Silvermont. Это обеспечит производительность свыше 3 TFLOPS (3 млрд. операций с плавающей запятой в секунду) с двойной точностью и в 3 раза более высокую однопоточную производительность по сравнению с текущим поколением процессоров.

Кроме того, Intel Xeon Phi (Knights Landing) будут иметь совместимость с процессорами Intel Xeon на уровне двоичного кода, что позволит разработчикам ПО использовать уже существующий программный код. А приложения для имеющегося в продаже Intel True Scale Fabric и будущего Intel Omni Scale Fabric также будут совместимы, поэтому клиенты смогут легко перейти на использование новой технологии.