Исследователи из Университета Калифорнии в Беркли (University of California, Berkeley) разработали технологию выращивания нанолазеров непосредственно на поверхности кремния. Это достижение может привести к созданию нового класса чипов в области микропроцессоров, оптоэлектроники и биохимии. В поисках замены традиционных проводников для схем на чипах разработчики все чаще обращают свой взгляд на оптическую электронику. Более высокая скорость передачи данных и отсутствие электрического сопротивления делают оптические межсоединения оптимальным решением для преодоления узких мест связи как внутри самого чипа, так и между чипами.

С другой стороны, вся электронная промышленность жестко завязана на кремний и соответствующие технологические процессы. Но сам кремний мало приспособлен для работы в качестве источника света. Традиционно светоизлучающие приборы и лазеры изготавливают из полупроводников группы III-V. Вырастить источник света непосредственно на кремнии сложно из-за того, что соответствующая технология осаждения полупроводников III-V включает горячую фазу с температурой более 700°С. При таких условиях нарушается целостность кристалла и создание чипа на нем становится невозможным.

Инженеры из Беркли, используя метод металл-органического химического осаждения, нашли способ вырастить нанолазер из арсенида галлия и индия на кремнии при температуре около 400°С. Аналогичный метод применяется при производстве солнечных батарей и считается относительно недорогим и технологичным.

Представленный разработчиками образец инфракрасного лазера с длиной волны 950 нм работает при комнатной температуре. Гексагональную форму кристаллу придают для усиления эффекта резонанса и соответствующей генерации когерентного излучения.