Компания Samsung анонсировала первые в отрасли твердотельные накопители, выполненные с применением передовой технологии трёхмерной вертикальной NAND-памяти — 3D V-NAND.

Названная методика предусматривает использование структуры вертикальных ячеек, а также технологии 3D Charge Trap Flash (CTF) и вертикальных межсоединений, пронизывающих трёхмерный массив ячеек. По сравнению с обычной флеш-памятью технология 3D V-NAND позволяет увеличить надёжность работы накопителей (в 2-10 раз) и поднять скорость передачи данных (до 2 раз).

Представленные SSD-диски Samsung относятся к корпоративному классу: они предназначены для использования в серверах и оборудовании для центров обработки данных. Накопители выполнены в формфакторе 2,5 дюйма, их размеры — 100х70х7 мм.

Для подключения к ПК используется интерфейс Serial ATA 3.0 (6 Гбит/с). Ёмкость составляет 480 и 960 Гбайт.

Показатели скорости передачи данных Samsung не называет, отмечая только, что быстродействие в режимах последовательной и произвольной записи «более чем на 20% выше» по сравнению со стандартными изделиями. О цене SSD-дисков также не сообщается.