Вслед за технологической конференцией GlobalFoundries (GF) распространилось некоторое недоумение относительно статуса технологии SOI (Silicon-on-Insulator, кремний на диэлектрике) до начала использования в производстве 14-нм чипов подложки SOI с тонким (вплоть до 6 нм) слоем нелегированного кремния (Fully-Depleted Extra-Thin SOI).

Производственные техпроцессы GlobalFoundries в 2012, 2013 и 2014 годах: 32 нм, 28 нм и 20 нм. При этом 32-нм и (используемый сегодня для SOI-чипов) и 28-нм имеют одинаковый суффикс SHP (Super High Performance — сверхвысокая производительность, то есть подходит для CPU)

Существуют слухи, что AMD не сможет выбрать путь производства 22-нм процессоров, которым идёт Intel, так как GlobalFoundries собирается осваивать 28-нм, 20-нм, 16-нм и 14-нм нормы. Из этих четырёх норм 28-нм и 16-нм должны полагаться на монолитные кремниевые подложки (Bulk Silicon), а не на SOI, значит, являются закрытыми для процессоров AMD.

Также после выступления Грэга Бартлетта (Gregg Bartlett) и Аджит Маночи (Ajit Manoche) возникла неразбериха, потому что они изначально сказали, что GF не будет использовать SOI в 20-нм техпроцессе из-за принятого бизнес-решения. Затем GlobalFoundries и SOITEC уточнили, что решение об использовании SOI или монолитного кремния принимается не производителем, а разработчиком чипов, которые должны покупать лицензию на SOI у IBM в каждом отдельном случае. То есть, если клиент GlobalFoundries желает использовать SOI, он должен платить IBM за использование технологии, и тогда GF может печатать такие чипы.

В 2013 году AMD представит 20-ядерный процессор Dublin и 10-ядерный Macau, 28-нм версии соответственно серверных чипов Terramar и Sepang

Судя по приведённым планам AMD, компания представит серверные 28-нм процессоры в 2013 году, то есть будет полагаться на промежуточный техпроцесс, а не перейдёт сразу на 22-нм нормы, как Intel. Можно предположить, что AMD будет использовать промежуточные 28-нм (SOI или Bulk Silicon?) и 20-нм (SOI или Bulk Silicon?) нормы, а затем перескочит на 14-нм техпроцесс ETSOI. Ускоренные процессоры, продолжающие линейку чипов Ontario/Zacate, при этом могут полагаться на промежуточные 16-нм нормы, в зависимости от решений, принятых GlobalFoundries и TSMC.

AMD в последнее время благодаря производству миллионов 40-нм ускоренных процессоров начального уровня на мощностях TSMC получила немало опыта по разработке CPU (в 40-нм Ontario/Zacate) на монолитных кремниевых подложках. Но в то же время, компания сделала немалые инвестиции в освоение производства графических процессоров на SOI (в 32-нм Llano), да и не стоит забывать, что один и тот же APU может сэкономить более 30% энергопотребления при использовании SOI.

Будущее кремниевых чипов лежит в 14-нм нормах: MuGFET (multigate-FET, многозатворные полевые транзисторы), подложки SOI с тонким слоем нелегированного кремния (Fully-Depleted Extra-Thin SOI), упаковка нового типа, германиевые каналы вместо меди и многое другое

В итоге, независимо от того, какое решение будет принято относительно 28-нм и 20-нм чипов, индустрия движется по направлению ухода от медных соединений в пользу фотоники. Для этой технологии всем придётся перейти на SOI, как продемонстрировала Intel в 2006 году в концепте Silicon Photonics.