Компании Micron и Intel объявили о доступности 3D NAND-технологии изготовления микросхем памяти. Это новый виток эволюции твердотельных накопителей, позволяющий обойти все недостатки планарного дизайна. Технология 3D NAND представляет собой стэк из 32 слоев с вертикальным размещением ячеек памяти, благодаря чему существенно увеличиваются ключевые характеристики самих микросхем: общий объем, производительность, срок службы и энергоэффективность. При этом сохраняется существующий форм-фактор.

В частности, технология 3D NAND уже позволяет достигать емкости чипов на уровне 256 Гбит (MLC) или 384 Гбит (TLC). Это открывает возможность создания 3,5-ТБ твердотельных накопителей компактного форм-фактора для использования в мобильных устройствах (смартфонах, планшетах) или же 10-ТБ дисков формата 2,5-дюймов. При этом вертикальная структура позволяет увеличить размеры самих ячеек, что очень позитивно сказывается на уровне производительности и надежности, поэтому даже TLC-чипы смогут соответствовать жестким требованиям дата-центров.

К тому же новинки характеризуются улучшенным показателем «Стоимость / ГБ», что позволит удешевить конечную стоимость разработанных накопителей. В данный момент уже начато производство первых образцов 256-гигабитных чипов MLC 3D NAND. До конца весны аналогичная участь ждет 384-гигабитные микросхемы TLC 3D NAND.